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大直径石墨热场单晶生长工艺的研究

发布时间:2013-12-11 ??来源:365bet的网址_365bet在线官网_365bet娱乐场官网??作者:秘书处 ??阅读次数:??【字体 】 ??打印

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【摘 要】针对大直径石墨热场进行8英寸单晶硅棒生长工艺进行了研究和探讨,分析了单晶炉内热对流、温度、工艺参数对于单晶生长的影响,对一系列预设工艺参数进行了验证,最终确定出了一套稳定的SOP工艺参数,适用于大直径石墨热场进行8英寸无位错单晶硅棒的生长。
关键词】大直径热场 热对流 Φ200mm? SOP参数
1?? 引言
????? 目前多数光伏企业批量使用22英寸石墨热场进行8英寸单晶硅棒的拉制,直拉硅单晶仍在向着高纯度、高完整性、高均匀性和大直径的方向发展[1],大直径的单晶硅片可以极大地提高芯片产量,降低太阳能电池组件的成本,提高其转换效率,给组件厂家带来极为显着的经济效益,如此情况下,大直径单晶硅片的一系列优越性能得以发挥,单晶硅片朝着增大直径和提高品质的方向发展,大直径的单晶硅片将逐渐占领市场,成为未来市场发展的主导。
????? 随着单晶硅棒直径的增大,热对流现象严重,晶体直径增大使晶体内的热量不能及时散发出去,就会产生比以往小尺寸硅单晶更大的温度梯度,而晶体生长界面的形状、温度分布、晶体中氧缺陷的浓度和均匀性等均与对流状态密切相关,这样就会使晶体内外热膨胀差异产生热弹性应力,经常会导致晶体内诱生位错和点缺陷的产生,同时过高的应力也会使晶体在切片或磨片过程中发生碎裂[2],因此必须通过对单晶生长过程不同阶段的气流、生长速率、旋转、温控等各项工艺参数进行摸索调整,从而确保大直径单晶的无位错顺利生长。


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